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DEIF TAC-311DG電流變送器,TAC-311DG使用數(shù)據(jù)內(nèi)存選項以下內(nèi)存選項可用于不同版本的MVME172LX板。DRAM選項MVME172LX提供以下DRAM選項:4MB,8MB或16MB共享DRAM,在夾層上具有可編程奇偶校驗模塊上的4MB、8MB、16MB、32MB和64MB ECC
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ICS TRIPLEX T9402冗余控制模塊,T9402使用指導內(nèi)存配置默認值。動態(tài)RAM夾層板的默認配置將使用從使用ENV參數(shù)“的基址”選擇的地址開始的最大內(nèi)存大小動態(tài)內(nèi)存”?;穮?shù)默認為0。較小的夾層將緊跟在內(nèi)存映射中較大的上方。如果相同尺寸和類型的夾層存在時,第一個(最靠近電路板)映射到選
ICS TRIPLEX T9110冗余處理模塊,T9110說明書在線閱讀引用的參數(shù)是左對齊字符(ASCII)字符串用空格字符填充,并顯示引號(“)以指示字符串的大小。未引用的參數(shù)被視為數(shù)據(jù)字符串和數(shù)據(jù)字符串右對齊。填充數(shù)據(jù)字符串如果不滿足長度,則使用零。電路板信息塊在出廠前已配置。無需修改塊參數(shù),除
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